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固态继电器按照切换负载性能分，可以分为直流型和交流型两大类，交流型有“过零”和“非过零”两种类型的产品，其关触点有常式和常闭式两种，常式也是目前市场上比较多的一种，在进行电路设计和选购的时，务必要弄清设计的要求和被控负载的情况。交流型SSR是针对工作在50HZ下工作而设计的。应用时被控交流电源频率的要求是在40-60HZ范围内正常工作，要求波形为正弦波。在此频率范围外货非纯正弦波作用下能否正常工作，要视产品的具体情况而定。

一 ：产品执行标 等效采用IEC584-3标准）

本质安全防爆测温系统用补偿导线或电缆采用低电容、低电感材料结构，具有防爆安全性能，适用于有危险的环境下作防爆热电偶冷短与防爆测温仪表连接，形成本安热电偶测温系统。

二：产品特点及用途

　　一般用聚氯乙绝缘和护套补偿导线或电缆具有优良的防潮、耐磨及阻燃特性；耐高温氟塑料绝缘和护套补偿导线或电缆采用连续挤出工艺，更有耐高温、耐寒、耐酸碱油水、不延燃、抗老化等优越性， IEC584-3）的规定。

三：使用特性

1． 导体工作温度：耐热级：聚全氟乙丙（F46）200℃

可溶性聚四氟乙260℃

硅橡胶180℃，其他性能见硅橡胶电缆。

普通级：聚氯乙70℃和105℃，交联聚乙90℃

低烟无卤阻燃聚烃70℃，交联型90℃和125℃，其他性能见低烟无卤电缆。

2． 低环境温度：聚氯乙护套：固定敷设-40℃，非固定敷设-15℃

氟塑料绝缘和护套：固定敷设-60℃，非固定敷设-20℃

3． 电缆允许弯曲半径： 非铠装电缆为外径的6倍

铜带屏蔽或钢带铠装点缆为电缆外径的12倍

氟塑料绝缘和护套为电缆外径的10倍

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再看控制电路：步按下启动按钮SB2，主交流接触器KM星型交流接触器KM3和时间继电器（或者延时继电器）KT线圈得电。得电后主电路KM1接通，KM3运行互锁切断三角形接法KM2不能运行，只能启动运行星型接法KM3,延时继电器KT运行始计时。运行一段时间后，KT计时到点后切断KM3星型，使KM3断电，KM3断电后接通互锁KM2线圈得电三角运行。KM2三角得电后，切断互锁的KT和星型的KM3线圈电源，保持主电路KM1和KM2三角形线圈吸合电路长期运行。

四：基本型号及名称

1：热电偶用补偿导线型号名称

KX-GA-VV 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVR 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-VVP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVRP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FF 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFR 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FFP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFRP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FG 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGR 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FGP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGRP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FV 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FVR 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FVP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线

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KX-HA-FVRP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJV 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVR 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJVP 交联聚乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVRP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YDYD 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD R 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA- YDYD P 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD RP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线

注：上述型号仅列出KX，其他如SC、KC、EX、BC、TX、JX只需改变型号项即可，

阻燃型补偿导线型号前加ZR，ZR192为进口PFA材料，屏蔽可采用镀锡铜丝屏蔽。

阻燃屏蔽补偿导线ZR-KC-GB-VVRP生产地图片工艺[股份@有限公司]欢迎您主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。